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ASML未來四代EUV光刻機進度披露:正向1nm邁進

ASML未來四代EUV光刻機進度披露
2021-03-18 15:50 來源: 編輯:快科技 瀏覽量:0

日前,ASML產(chǎn)品營銷總監(jiān)Mike Lercel向媒體分享了EUV(極紫外)光刻機的最新進展。

ASML現(xiàn)在主力出貨的EUV光刻機分別是NXE:3400B和3400C,它們的數(shù)值孔徑(NA)均為0.33,日期更近的3400C目前的可用性已經(jīng)達到90%左右。

預計今年年底前,NXE:3600D將開始交付,30mJ/cm2下的晶圓通量是160片,比3400C提高了18%,機器匹配套準精度也增加了,它預計會是未來臺積電、三星3nm制程的主要依托。

在3600D之后,ASML規(guī)劃的三代光刻機分別是NEXT、EXE:5000和EXE:5200,其中從EXE:5000開始,數(shù)值孔徑提高到0.55,但要等待2022年晚些時候發(fā)貨了。

由于光刻機從發(fā)貨到配置/培訓完成需要長達兩年時間,0.55NA的大規(guī)模應用要等到2025~2026年了,服務的應該是臺積電2nm甚至1nm等工藝。

0.55NA比0.33NA有著太多優(yōu)勢,包括更高的對比度、圖形曝光更低的成本、更高的生產(chǎn)效率等。

當然,硅片、曝光潔凈室逼近物理極限,也是不容小覷的挑戰(zhàn)?,F(xiàn)今5nm/7nm光刻機已然需要10萬+零件、40個集裝箱,而1nm時代光刻機要比3nm還大一倍左右,可想而知了。

原文地址:https://news.mydrivers.com/1/745/745778.htm
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【責任編輯:陸超】

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